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西安易恩電氣科技有限公司
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先生 (經(jīng)理) |
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手 機：19929902667  |
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| 易恩電氣分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)EN-1230A |
EN-1230A型分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是針對于半導體器件進行非破壞性瞬態(tài)測試。用于可用于Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT的動態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應的國家標準、軍標、系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋＿x件豐富，通過選件的靈活搭配組合實現(xiàn)相應的測試功能，PC為系統(tǒng)主控計算機，測試結(jié)果可輸出為EXCEL及文本格式。
EN-1230A 分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
參數(shù)條件：
基本參數(shù)/Basic parameters
功率源/Power source
阻性/感性開關特性單元
Resistance/Inductance
Switching performance unit
脈寬/Pulse width：50μs~2000μs、0.1μs步徑/Steps 時間分辨率：1ns
柵極驅(qū)動/Gate drive：±30V，分辨率0.1V
電阻/Resistance：定制/Commission
漏極電壓/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
電流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
電感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH，程控式連續(xù)可調(diào)
測試參數(shù)：開啟延遲時間（td(on))、關斷延遲時間（td(off))、上升時間（tr)、下降時間（tf)
柵極電荷單元
Gate charge unit
柵極驅(qū)動電流/Gate drive current：0~200mA，分辨率1.0mA
柵極電壓/Gate voltage：±30V，分辨率±0.1V
電流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
漏級電壓/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
柵極等效電阻范圍/Gate equivalent resistance：0.1~50Ω，可調(diào)/Adjustable
測試參數(shù)：柵電荷（Qg)、柵源電荷（Qgs)、柵漏電荷（Qgd)、平臺電壓（Vgp)
反向恢復特性單元
Reverse recovery charge
test unit
正向電流（IF）：≤300A，分辨率0.1A
反向恢復時間（Trr）：10ns~2.0μs，分辨率1ns
反向恢復電流（Irm）：≤300A
反向恢復電荷（Qrr）：1nC~100μC，分辨率1nC
反向電壓（Vr）：5V~1500V，step1V
電感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH,程控式連續(xù)可調(diào)
短路特性
Short circuit performance
*大電流/Max current：1000A
柵極驅(qū)動/Gate drive：±30V，分辨率 0.1V
脈沖時間/Pulse width：5us~100us
漏極電壓/Drain voltage：5V~1500V，Step1V
測試參數(shù)/Test parameters：短路電流Isc |
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