碳化硅陶瓷SiC陶瓷不僅具有優(yōu)良的常溫力學性能，如高的抗彎強度、優(yōu)良的化性、良好的耐腐蝕性、高的抗磨損以及低的摩擦系數，而且高溫力學性能(強度、抗蠕變性等)是已知陶瓷材料中的。熱壓燒結、無壓燒結、熱等靜壓燒結的材料，其高溫強度可一直維持到1600℃，是陶瓷材料中高溫強度的材料�；砸彩撬蟹茄趸锾沾芍械摹e名金剛砂。晶體結構碳化硅主要有兩種晶體結構，即立方晶系的β- SiC和六方晶系的 - SiC。碳化硅晶體的基本結構單元是相互穿插的SiC和CSi四面體。四面體共邊形成平面層，并以頂點與下一疊層四面體相連形成三維結構。由于四面體堆積次序的不同可以形成不同的結構，已發(fā)現數百種變體。一般采用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格類型，并用單位晶胞中所含的層數以示區(qū)別，例如nH表示沿c軸有n層重復周期的六方晶系結構，而mR則表示沿c軸有m層重復周期的菱面體結構。
特點碳化硅陶瓷是共價鍵很強的化合物，其Si--C鍵的離子型僅12%左右，因此，它也具有優(yōu)良的力學性能、優(yōu)良的化性、高的抗磨損性以及低的摩擦系數等。碳化硅的特點是高溫強度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400攝氏度時強度將顯著降低，而碳化硅在1400攝氏度時抗彎強度仍保持在500 ~600MPa的較高水平，因此其工作溫度可達1600 ~ 1700攝氏度。再加上碳化硅陶瓷的熱傳導能力也較高，在陶瓷中僅次于氧化鈹陶瓷，因此碳化硅已經廣泛應用于高溫軸承、板、噴嘴、高溫耐蝕部件以及高溫和高頻范圍的電子設備零部件等領域。稀土氧化物如Y2O，同樣可以作為碳化硅陶瓷的燒結助劑，通過液相燒結的途徑獲得致密的碳化硅。由于其液相燒結是通過玻璃相的形成來降低孔隙率，提高致密度的，因此，玻璃相的特性對燒結所得微觀結構影響很大。
性能
具有優(yōu)良的力學性能、優(yōu)良的化性、高的抗磨損性以及低的摩擦系數等。SiC陶瓷的缺點是斷裂韌性較低，即脆性較大，為此，以SiC陶瓷為基的復相陶瓷，如纖維(或晶須)補強、異相顆粒彌散強化、以及梯度功能材料相繼出現，改善了單體材料的韌性和強度。
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